[03.04]电脑硬件扫盲帖[内存篇]

花间游 · 发表于 2007-3-4 11:51:19

一、内存带宽的基础知识
1．何谓内存带宽

从功能上理解，我们可以将内存看作是内存控制器（一般位于北桥芯片中）与CPU之间的桥梁或与仓库。显然，内存的容量决定“仓库”的大小，而内存的带宽决定“桥梁”的宽窄，两者缺一不可，这也就是我们常常说道的“内存容量”与“内存速度”。除了内存容量与内存速度，延时周期也是决定其性能的关键。当CPU需要内存中的数据时，它会发出一个由内存控制器所执行的要求，内存控制器接著将要求发送至内存，并在接收数据时向CPU报告整个周期（从CPU到内存控制器，内存再回到CPU）所需的时间。毫无疑问，缩短整个周期也是提高内存速度的关键，这就好比在桥梁上工作的警察，其指挥疏通能力也是决定通畅度的因素之一。更快速的内存技术对整体性能表现有重大的贡献，但是提高内存带宽只是解决方案的一部分，数据在CPU以及内存间传送所花的时间通常比处理器执行功能所花的时间更长，为此缓冲区被广泛应用。其实，所谓的缓冲器就是CPU中的一级缓存与二级缓存，它们是内存这座“大桥梁”与CPU之间的“小桥梁”。事实上，一级缓存与二级缓存采用的是SRAM，我们也可以将其宽泛地理解为“内存带宽”，不过现在似乎更多地被解释为“前端总线”，所以我们也只是简单的提一下。事先预告一下，“前端总线”与“内存带宽”之间有着密切的联系，我们将会在后面的测试中有更加深刻的认识。

2．内存带宽的重要性

内存带宽为何会如此重要呢？在回答这一问题之前，我们先来简单看一看系统工作的过程。基本上当CPU接收到指令后，它会最先向CPU中的一级缓存（L1 Cache）去寻找相关的数据，虽然一级缓存是与CPU同频运行的，但是由于容量较小，所以不可能每次都命中。这时CPU会继续向下一级的二级缓存（L2 Cache）寻找，同样的道理，当所需要的数据在二级缓存中也没有的话，会继续转向L3 Cache（如果有的话，如K6-2＋和K6-3）、内存和硬盘。由于目前系统处理的数据量都是相当巨大的，因此几乎每一步操作都得经过内存，这也是整个系统中工作最为频繁的部件。如此一来，内存的性能就在一定程度上决定了这个系统的表现，这点在多媒体设计软件和3D游戏中表现得更为明显。3D显卡的内存带宽（或许称为显存带宽更为合适）的重要性也是不言而喻的，甚至其作用比系统的内存带宽更为明显。大家知道，显示卡在进行像素渲染时，都需要从显存的不同缓冲区中读写数据。这些缓冲区中有的放置描述像素ARGB（阿尔法通道，红，绿，蓝）元素的颜色数据，有的放置像素Z值（用来描述像素的深度或者说可见性的数据）。显然，一旦产生Z轴数据，显存的负担会立即陡然提升，在加上各种材质贴图、深度复杂性渲染、3D特效，其工作罼X上攵Ｔ诟嗲榭鱿拢源娲淼闹匾猿搅讼源嫒萘浚獾阄颐墙诤笪牡牟馐灾杏邢晗杆得鳌?

3．如何提高内存带宽

内存带宽的计算方法并不复杂，大家可以遵循如下的计算公式：带宽＝总线宽度×总线频率×一个时钟周期内交换的数据包个数。很明显，在这些乘数因子中，每个都会对最终的内存带宽产生极大的影响。然而，如今在频率上已经没有太大文章可作，毕竟这受到制作工艺的限制，不可能在短时间内成倍提高。而总线宽度和数据包个数就大不相同了，简单的改变会令内存带宽突飞猛进。DDR技术就使我们感受到提高数据包个数的好处，它令内存带宽疯狂地提升一倍。当然，提高数据包个数的方法不仅仅局限于在内存上做文章，通过多个内存控制器并行工作同样可以起到效果，这也就是如今热门的双通道DDR芯片组（如nForce2、I875/865等）。事实上，双通道DDR内存控制器并不能算是新发明，因为早在RAMBUS时代，RDRAM就已经使用了类似技术，只不过当时RDRAM的总线宽度只有16Bit，无法与DDR的64Bit相提并论。内存技术发展到如今这一阶段，四通道内存控制器的出现也只是时间问题，VIA的QBM技术以及SiS支持四通道RDRAM的芯片组，这些都是未来的发展方向。至于显卡方面，我们对其显存带宽更加敏感，这甚至也是很多厂商用来区分高低端产品的重要方面。同样是使用DDR显存的产品，128Bit宽度的产品会表现出远远胜过64Bit宽度的产品。当然提高显存频率也是一种解决方案，不过其效果并不明显，而且会大幅度提高成本。值得注意的是，目前部分高端显卡甚至动用了DDRII技术，不过至少在目前看来，这项技术还为时过早。

4．如何识别产品的内存带宽

对于内存而言，辨别内存带宽是一件相当简单的事情，因为SDRAM、DDR、RDRAM这三种内存在外观上有着很大的差别，大家通过下面这副图就能清楚地认识到。唯一需要我们去辨认的便是不同频率的DDR内存。目前主流DDR内存分为DDR266、DDR333以及DDR400，其中后三位数字代表工作频率。通过内存条上的标识，自然可以很方便地识别出其规格。相对而言，显卡上显存带宽的识别就要困难一些。在这里，我们应该抓住“显存位宽”和“显存频率”两个重要的技术指标。显存位宽的计算方法是：单块显存颗粒位宽×显存颗粒总数，而显存频率则是由"1000/显存颗粒纳秒数"来决定。一般来说，我们可以从显存颗粒上一串编号的最后2两位看出其纳秒数，从中也就得知其显存频率。至于单块显存颗粒位宽，我们只能在网上查询。HY、三星、EtronTech（钰创）等都提供专用的显存编号查询网站，相当方便。如三星的显存就可以到如下的地址下载，只要输入相应的显存颗粒编号即可（http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm）。此外，使用RivaTuner也可以检测显卡上显存的总位宽，大家打开RivaTuner在MAIN菜单即可看到。

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花间游 · 发表于 2007-3-4 11:51:33

二、DDR2与DDR的区别
与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
DDR2与DDR的区别示意图
与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。
DDR2的定义：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内瞂X刂谱芟?倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2与DDR的区别：
在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决

花间游 · 发表于 2007-3-4 11:51:50

三、内存的历史
大家都知道随着电脑数据总线宽度的增加，电脑对内存数据线的宽度要求也不断提高。内存数据线的宽度从早期的1bit提高到4bit、8bit、32bit和目前的64bit。内存接插形式也经历了DIP内存、SIMM内存和DIMM内存时代。
1、DIP内存
DIP内存即普通双列直插内存芯片，主要应用于数据宽度为8bit的Apple机、PC机、PC/XT机时代。DIP内存直接焊接在主板上或插在主板的DIP插座上，早期的DIP仅有1bit数据，需以9片为一组安装，其中8片为数据位，一片为校验位。
2、SIMM内存
SIMM（Single-In Line Memory Module），单边接插内存模块。SIMM内存是一条焊有多片内存芯片的印刷电路板，插在主板内存插槽中，它分30线SIMM和72线SIMM两种类型。
30线SIMM内存条诞生于286时代，有8bit数据位（部分另加有1位校验位）。对16bit数据总线的286、386SX主板均以两条为一组安装，对32bit数据总线的386DX、486主板则需以四条为一组安装，30线内存条常见容量有256KB、1MB和4MB。
72线SIMM内存条诞生于486时代后期，有32bit数据位。对32bit数据总线的486主板，可以一条为一组安装；对有64bit内存数据总线的586主板，需以二条为一组安装。72线内存条常容量有4MB、8MB、16MB和32MB。
3、DIMM内存
DIMM（Dual In-Line Memory Module）双边接插内存模块。主板上的DIMM内存插槽两边均有金属引脚线，每边84线双边共有84*2=168条引脚，故而常称其为168线内存条。
168线DIMM内存条有64bit数据位，在586级主板上安装一条即能工作。目前大多主板均采用DIMM内存条。168线内存条的常见容量有32MB、64MB、128MB。

内存技术的发展历程
作为电脑主存储器的DRAM存储器问世以来，存储器制造技术也不断在提高,先后出现了FPM DRAM、EDO DRAM、BEDO DRAM、SDRAM、DDR DRAM、Rambus DRAM等多种存储器，主要技术向高集成度、高速度、高性能方向发展。
FPM DRAM：又叫快页内存，是传统DRAM的改进型产品，在Intel 286、386时代很流行。其主要特点是采用了不同于早期DRAM的列地址读出方式，以30pin的FPM DRAM为例，每秒刷新率可以达到几百次，在当时是非常惊人的，从而提高了内存的传输速率。但由于FPM DRAM使用了同一电路来存取数据的方式，因此也带来一些弊端，例如FPM DRAM在存取时间上会有一定的时间间隔，而且在FPM DRAM中，由于存储地址空间是按页排列的，因此当访问到某一页面后，再切换到另一页面会占用额外的时钟周期。
在Intel 286、386时代，我们常常可以看到一块PCB电路板上有着2至3枚双排针脚的内存芯片，容量只有1MB或2MB，因此可以说早期的FPM内存容量是非常低的，这样的容量摆到现在看来，几乎是不可想象的，但当时就是这样，能有4MB内存的电脑已是极高的配置了。进入Intel 486时代以后，电脑的各个部分也都在飞速发展着，从电脑内部总线到操作系统没有一处不在发生着变化。至此大容量内存的发展由此进入快车道。新的FPM DRAM内存开始采用72pin接口，由4/8颗内存芯片组成的4MB、8MB、16MB容量内存条逐渐大量面世，到了后期，32MB内存也渐露身影，按理说72pin SIMM FPM是32bit产品，比30pin SIMM FPM性能更好些，但当时72pin SIMM FPM价格相对较高，个人用户考虑价格问题减缓了新品的推广。至此，内存的类型也开始发生新的变化。
EDO DRAM：一种被称为EDO的采用新的寻址方式的内存开始流行。EDO内存（Extended DAta Out）也称“扩展数据输出内存”。它的工作原理基本与FPM DRAM类似，取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，可在把数据发给CPU的同时去访问下一个页面，故而速度要比普通的DRAM快出15%~30%。EDO DRAM的工作电压是5V，带宽32bit，其接口方式多为72pin的SIMM类型，但也有168pin的DIMM类型。由于Pentium及其以上级别系统的数据总线宽度都是64bit的，所以EDO DRAM与FPM DRAM都必须以一对一组的形式同时安装，共同组成一个Bank。486后期的有些主板和大多586主板均支持EDO DRAM。除了速度快、主板支持率高的特点外，EDO DRAM在制造上只是在原来DRAM基础上增加了少量EDO逻辑电路，因此成本与FPM DRAM相差不大，于是EDO DRAM一上市就得到了很好的推广，直到更高性能的SDRAM出现之后，EDO DRAM才退出市场。
SDRAM：当个人电脑进入Intel Pentium时代后，SDRAM开始为大家所熟悉了，并一直流行到至今。SD（Synchronous Dynamic）RAM也称为“同步动态内存”，都是168线的，带宽为64bit，工作电压为3.3V，目前最快的速度可达6ns。它的工作原理是将RAM与CPU以相同的时钟频率进行控制，使RAM和CPU的外频同步，彻底取消等待时间，所以它的数据传输速度比EDO RAM又至少快了13%。采用64bit的数据宽，所以只需一根内存条就可以安装使用。
对SDRAM的支持是从Intel的VX控制芯片组开始的。VX芯片组集成了许多新的功能，其中包括支持168pin的SDRAM，在VX主板中，我们一般可以看到有四根可插72pin内存的SIMM内存插槽，此外还有一根可以插168pin的DIMM内存插槽，这也说明VX控制芯片是初次尝试支持SDRAM，不过VX控制芯片只是过渡时期的产品，真正能够完美支持SDRAM的是后来Intel发布的TX控制芯片，再来看TX主板，一般SIMM已被缩减至一组，甚至没有，而DIMM都有二根甚至三根。
在当前，因为CPU的超频是很多人的共同话题，在经过CPU的再三发展后，外频的概念慢慢地被建立起来。内存与CPU是有着极强联系的，CPU的外频有了66MHz、100MHz等，于是内存的工作时钟也被确立起来。因为，内存需要工作在CPU的外频下，所以也就有了所谓的PC66、PC100等内存规范，甚至到后来的PC133规范。因为主频越高，工作的速度也就越快，所以SDRAM相对于EDO等各型内存，其存取周期所花的时间大大缩短，常见的一般有10ns、8ns、7ns等。
在CPU被超频的同时，我们还接触到了一个CL问题。CL是CAS Latency的简称，CAS是指内存在存取数据的延迟时间，那么这个数据就代表着内存的反应速度。一般在主板的BIOS中，我们可以看到CL参数的调协，选项有2或3，数字小代表内存的反应速度较快，可以快速响应CPU给予的指令，并在高速下作。这也是衡量SDRAM优劣与否的重要标志之一。
随着内存的进一步规范，我们可以看到在SDRAM内存条上有一个极小的芯片，一般以内存右下或右上的位置。这块极小的芯片被称为SPD。这块SPD其实就是一块2K的EPROM，它是在内存出厂时，由厂家将该内存的性能指标写入其中，用户在使用中，由主板将其内容读出，并在BIOS中内存类型为Auto的条件上，按SPD的内容来调整工作参数，以加强系统稳定性。
DDR DRAM：DDR（Double Data Rate DRAM），双速率DRAM是DRAM技术的延续，与DRAM的主要区别是DDR DRAM能利用时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，因此不需提高工作频率就能成倍提高DRAM的速度，而且制成本并不高。此技术可应用于SDRAM和SGRAM，使得实际带宽增加了两倍。就实际功能来看，在100MHz下DDR SDRAM的理论带宽甚至可以达到1.66GB/s，在133MHz下可达到2.1GB/s，200MHz更可达到3.2GB/s。可以看到DDR DRAM在未来的高速PC系统和服务器中有着极大的应用前景。目前威盛和其它一些内存厂商正大力推广DDR SDRAM，欲使其成为下一代内存主流。AMD、VIA等厂商也在探讨其下一代主板芯片组中应用DDR SDRAM的可能性。
DDR内存现在渐渐成为内存市场中新的宠儿，因其合理的性价比从其诞生以来一直受到人们热烈的期望，希望这一新的内存产品全面提升系统的处理速度和带宽，就连对Rambus抱有无限希望的Intel公司也向外界宣布将以最快的速度生产支持DDR内存的新一代P4系统。不难看出，DDR真的是大势所趋。
近来市场上已闻诸多厂商开始陆续推出自己的DDR内存产品，国际上少数内存生产商之一的金士顿公司（Kingston）其实在去年年底就已完成了批量生产DDR内存的生产线的建设，现在金士顿公司(Kingston)已准备开始向全球接受订单开始大量供货了。
那么究竟什么是DDR内存呢？其技术优势又在何处呢？请让我们先了解一下这样新的事物。
DDR是Double Data Rate SDRAM的缩写（双倍数据速率）。DDR SDRAM内存技术是从主流的PC66，PC100，PC133 SDRAM技术发展而来。这一新技术使新一代的高性能计算机系统成为可能，包括台式机、工作站、服务器、便携式，也包括新的通信产品，如路由器。DDR内存目前被广泛应用于高性能图形适配器。
DDR DIMMs与SDRAM DIMMs的物理元数相同，但两侧的线数不同，DDR应用184pins，而SDRAM则应用168pins。因此，DDR内存不向后兼容SDRAM，要求专为DDR设计的主板与系统。
DDR内存技术是成熟的PC100和PC133SDRAM技术的革命性进步。DDR内存芯片由半导体制造商用现有的晶圆片，程序及测试设备生产，从而降低了内存芯片的成本。Kingston能够利用其现有的制造与测试设备在全球范围内提供DDR模块。
主要的技术及芯片公司，包括Intel, AMD, Via Technology, Acer Labs (Ali), Silicon Integrated Systems (SiS), nVidia, ATI,及ServerWorks都已宣布支持DDR内存。主板及系统支持DDR内存在2000的Q4中已获引进，在2001年将被大量采用。
DDR DIMM的规范由JEDEC定案。JEDEC是电子行业联盟的半导体工业标准化组织。大约300家会员公司提交行业中每一环节的标准，积极合作来发展符合行业需求的标准体系。Kingston是JEDEC的长期会员，并且是JEDEC的理事会成员。

花间游 · 发表于 2007-3-4 11:52:07

关于内存的一些问题和答案

Q：请问我该买什么样的内存？
A：在INTEL平台上主要看板子的支持内存情况，例如该板子只支持DDR2，你不能使用DDR的内存，假如你板子最高支持DDR400。。。而你买的是DDR333，将会降频使用。。。。。
由于AMD K8内部集成内存控制器，SO我们需要看CPU内部内存控制器支持CPU的情况，，，如果只支持DDR，就不能用DDR2。。。目前K8只支持DDR。。。。只有AM2才支持DDR2。。。。SO请大家买AMD K8的时候不要搭配DDR2的内存

Q：什么是双通道？能带来明显的性能提升？
A：双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。在几年前，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组，它与RDRAM内存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点，但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况，最后被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对RDRAM的支持，所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DDR内存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔 865、875系列，而AMD方面则是NVIDIA Nforce2系列。

双通道内存技术是解决CPU总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。现在CPU的FSB（前端总线频率）越来越高，英特尔 Pentium 4比AMD Athlon XP对内存带宽具有高得多的需求。英特尔 Pentium 4处理器与北桥芯片的数据传输采用QDR（Quad Data Rate，四次数据传输）技术，其FSB是外频的4倍。英特尔 Pentium 4的FSB分别是400、533、800MHz，总线带宽分别是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的内存带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在单通道内存模式下，DDR内存无法提供CPU所需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。而在双通道内存模式下，双通道DDR 266、DDR 333、DDR 400所能提供的内存带宽分别是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在这里可以看到，双通道DDR 400内存刚好可以满足800MHz FSB Pentium 4处理器的带宽需求。而对AMD Athlon XP平台而言，其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用DDR（Double Data Rate，双倍数据传输）技术，FSB是外频的2倍，其对内存带宽的需求远远低于英特尔 Pentium 4平台，其FSB分别为266、333、400MHz，总线带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用单通道的DDR 266、DDR 333、DDR 400就能满足其带宽需求，所以在AMD K7平台上使用双通道DDR内存技术，可说是收效不多，性能提高并不如英特尔平台那样明显，对性能影响最明显的还是采用集成显示芯片的整合型主板。

NVIDIA推出的nForce芯片组是第一个把DDR内存接口扩展为128-bit的芯片组，随后英特尔在它的E7500服务器主板芯片组上也使用了这种双通道DDR内存技术，SiS和VIA也纷纷响应，积极研发这项可使DDR内存带宽成倍增长的技术。但是，由于种种原因，要实现这种双通道DDR（128 bit的并行内存接口）传输对于众多芯片组厂商来说绝非易事。DDR SDRAM内存和RDRAM内存完全不同，后者有着高延时的特性并且为串行传输方式，这些特性决定了设计一款支持双通道RDRAM内存芯片组的难度和成本都不算太高。但DDR SDRAM内存却有着自身局限性，它本身是低延时特性的，采用的是并行传输模式，还有最重要的一点：当DDR SDRAM工作频率高于400MHz时，其信号波形往往会出现失真问题，这些都为设计一款支持双通道DDR内存系统的芯片组带来不小的难度，芯片组的制造成本也会相应地提高，这些因素都制约着这项内存控制技术的发展。

普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器，而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器，在双通道模式下具有128bit的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上来说，两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器，一个为A、另一个为B。当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让等待时间缩减50%。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的DIMM内存条，此时双通道DDR简单地调整到最低的内存标准来实现128bit带宽，允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可XX地共同运作。

支持双通道DDR内存技术的台式机芯片组，英特尔平台方面有英特尔的865P、865G、865GV、865PE、875P以及之后的915、925系列；VIA的PT880，ATI的Radeon 9100 IGP系列，SIS的SIIS 655，SIS 655FX和SIS 655TX；AMD平台方面则有VIA的KT880，NVIDIA的nForce2 Ultra 400，nForce2 IGP，nForce2 SPP及其以后的芯片。

AMD的64位CPU，由于集成了内存控制器，因此是否支持内存双通道看CPU就可以。目前AMD的台式机CPU，只有939接口的才支持内存双通道，754接口的不支持内存双通道。除了AMD的64位CPU，其他计算机是否可以支持内存双通道主要取决于主板芯片组，支持双通道的芯片组上边有描述，也可以查看主板芯片组资料。此外有些芯片组在理论上支持不同容量的内存条实现双通道，不过实际还是建议尽量使用参数一致的两条内存条。

内存双通道一般要求按主板上内存插槽的颜色成对使用，此外有些主板还要在BIOS做一下设置，一般主板说明书会有说明。当系统已经实现双通道后，有些主板在开机自检时会有提示，可以仔细看看。由于自检速度比较快，所以可能看不到。因此可以用一些软件查看，很多软件都可以检查，比如cpu-z，比较小巧。在“memory”这一项中有“channels”项目，如果这里显示“Dual”这样的字，就表示已经实现了双通道。两条256M的内存构成双通道效果会比一条512M的内存效果好，因为一条内存无法构成双通道。

想要说明的一点是在K8上双通道带来的性能提升十分有限，最多提升3％～5％的性能。。。SO可以忽略不计，决定两者最大的因素是频率。。。。

Q：怎么样辨别内存的好坏？
A：1．看内存颗粒，字迹清楚，手指摩擦不会模糊，标号正确等。不过现在造假的水平越
来越高，印字的方法也会改进不少。关于颗粒真伪可进一步查询相关资料。

2．内存颗粒的引脚排列整齐，不能歪歪扭扭，焊点要光滑圆润统一美观，以排除手工
焊接的可能。

3．除了内存颗粒，下一个稍大的器件就是SPD，这是存放内存各类相关信息的EEROM，
因为有些主板不需要读取SPD也能自动配置，所以也为造假提供可能。由于不放这个SPD
实在瞒不过去，于是有些JS就会焊一个空的SPD，可以看这个器件的焊点圆润程度简单地
判断是否是人为虚焊，进一步可注意主板的检测信息或借助测量软件。

4．电容也是一个很重要的器件，毕竟每个电容还有好几分钱，所以质量较差的内存条
上会尽可能少的放置电容。一般来说，电容是越多越好，可以提供更稳定的电源，也会
优化信号质量。如果发现每个颗粒周围平均不足3个电容，那这块内存的性能就有问题了
，对任何品牌的内存这个标准也同样适合。

5． DDR内存里有个参考电平（Vref），在金手指的1号管脚，这个信号的稳定对DDR内存
来说非常重要，所以要尽量让它没有干扰。金手指1号管脚处附近最好要接一个它的专用
去耦电容，每个颗粒对应的Vref管脚也均要接一个去耦电容，位置越XX管脚越好，不过
实际中由于器件摆放的缘故，这个电容一般会放在板最上沿，这时候设计者会引一根粗
线连上去，劣质的内存可能会没有这种参考电平的去耦电容。

6．剩下来的器件就是电阻了，四连的电阻叫排阻。目前主要是在数据线上和差分时钟
信号匹配会使用，对64位的数据总线来说，内存上要有64个电阻（或16个排阻），这个
电阻的作用是较少信号的震荡，提高噪声裕量，但不用这个电阻一般也能工作，所以经
常会看到有些内存条将本该焊接电阻的地方直接短路了，这样每条内存可以省好几毛钱
啊！对于差分匹配电阻也一样，没有它都是能工作的，就是质量上会差不少。对于SDR来
说串联电阻一般为10欧姆，对于DDR来说为22欧姆，而差分时钟信号的匹配电阻是120欧
姆。

7．器件说完了，现在说说PCB，也就是内存条的电路板，看看色泽鲜艳与否，手摸摸平
滑感怎样，就能了解工艺的条件怎么样，虽说表面做的不好看不影响什么大局，但试想
一下，这么差劲的做工，怎么能满足设计需要的阻抗要求呢？各项电气性能也可见一斑
。

8．从业界制订SDRAM的PC100标准起，内存条开始要求至少6层板结构，6层板可以保证
更稳定的电源供给，更好的信号质量，更少的电磁辐射，在物理机械性能上也会优化不
少。但是目前还是有很多内存杂家生产4层板内存条，以降低成本，有的网站说4层和6层
可以从厚度上分辨出来，其实不然，虽然板只有4层，但可以通过增加介质层厚度保持同
样的厚度，再说目前DIMM的标准是1.27mm的厚度，要是4层板太薄，插上去松松垮垮，谁
还会买？那怎么分辨几层板呢？对制程工序有经验的可以从横界面上看出来。还有一种
方法是从表面走线看出来，一般数据线都是走在表层的，主要看地址线，如果看到横的
一排地址线走在表层（穿过芯片的管脚中间），那基本上可以判断这是4层板的设计，试
想，数据线和地址线都在表层，只剩下3根时钟走线，想赚钱的杂牌厂家会舍得多花两层
去走线？如果看到地址线都是就近打孔走在内层，基本上就是6层板设计了。

9．看走线，特别是数据线，良好的内存条会匹配走线长度，以便保证良好的时序，如
果看到你买的内存条特地走了蛇行线绕线长，匹配电阻也有了，那还可以小放心一下，
至少PCB的设计是正版的（可能用的是大公司的公板，不过小心使用的颗粒哦）。

10．看金手指，这是做PCB的时候比较贵的地方，很多PCB板厂一般都是先按面积算
价钱
，然后按金手指的数目加钱（比如一个一毛钱左右），所以质量较次的内存PCB可能使用
比较低廉的工艺处理金手指（比如在配料浓度上作手脚等），所以购买时要确保金手指
明亮鲜艳，不能是色泽黯淡，不然它的性能，尤其是使用一段时间后的抗氧化性能会很
差，从而导致接触不良等毛病。

11．内存一般有单面和双面，如果对于喜欢追求超频的人来说，在相同容量下单面
内存
的超频性能会更好一点（当然主板得支持大容量的芯片颗粒），很简单，单面的负载少
，信号的上升时间快，比较能满足苛刻的时序条件。其实制约内存的工作频率上不去的
主要原因就是负载/传输线的影响。简单的比方，内存必须在一个时钟周期内顺利读取一
个地址，但如果负载太重，地址信号在路上传播的时间就要5ns了，再算上发送数据和器
件接受数据都要一定的时间，这些时间加起来就超过6ns了，那么这块内存条肯定不能工
作在PC166（或DDR333/PC2700）下，即便能勉强工作也会极不稳定，频繁死机。

12．现在各种各样的内存封装层出不穷，TSOP,TSOP2,TinyBGA,WBGA,WLCSP,FCCSP等
等
，总的来说都形式上向BGA封装XX拢，尺寸上向CSP发展。不容置疑的是，BGA类的封装在
高频，散热和低负载性能上都要明显优于一般的TSOP封装，在将要推出的DDR2内存中将
只会采用BGA封装。但目前我们工作的频率下（比如133,166），是不是BGA的一定会好？
其实也不一定，虽然单论芯片性能来说是不错，但综合考虑PCB布线，结果并非想象中的
那么好，原因在于，成型的SDRAM和DDR的设计规范中都是以TSOP的走线结构和线长进行
仿真测量而得到的结果，已经能很好的满足各种信号完整性和时序的要求，但是新型的
BGA封装，在布线时结构肯定会有所变化，线长也需要仿真重新调整，由于BGA的球状阵
列较为密集，这给布线带来了不少困难，所以有时迫不得已，会牺牲一些信号质量来满
足布线的需要。当然，优秀的设计者会考虑到这些，给出一个尽量完美的方案的。我说
的意思是不要被各种鼓吹的新式封装所迷惑，尤其是一些杂牌厂家生产的BGA封装的内存
条，其质量往往远低于正常的TSOP封装。

花间游 · 发表于 2007-3-4 11:52:21

透过内存编码识别容量

Q：我想知道怎样看外表就能辨别内存条的大小
A：内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。

下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
三星内存颗粒
目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

Micron内存颗粒
Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。

西门子内存颗粒

目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。

Kingmax内存颗粒

Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。

HYUNDAI（现代）
现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm
TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100

花间游 · 发表于 2007-3-4 11:52:35

内存大厂简介

1.金士顿(Kingston)

      金士顿科技公司是设计和生产使用于个人计算机，服务器，工作站，路由器，雷射打印机和电子的装置的内存(memory)，处理器(processor),网路,及储存硬碟等相关产品的制造公司。金士顿科技公司在 1987 由杜纪川和孙大卫先生所创立，现已经从单线(Single In-line)生产内存组件的制造业者进入有超过 2,000 种产品，销售业绩约十六亿美金的一家跨国公司。
      金士顿的口碑是非常不错的。做工好是最主要的，我自己就用金士顿内存。而且在给别人的配机建议时内存肯定是金士顿第一。

2. 2.威刚

      威刚创立于2001年5月，公司虽是市场新生，但经营团队却俱是沙场老将，因此，威刚在成立短短二年之内即创造出令人称羡的经营绩效。内存产业是一连串速度的竞赛，速度决定了赢家与输家，而威刚是产业的专家、速度的赢家。
      差不多是在金士顿假货泛滥最严重的时候，威刚更是火之又火。它以假货极少，做工几乎可以和金士顿媲美，而且价格比金士顿低占据了很大的市场。菜鸟们买内存害怕买到假金士顿，那当然就是威刚了了。
      现在我们平常所买的威刚内存分二种。V-DATA和A-DATA.他们分别是威刚的普通条和高端条。价格当然后者高，质量也是后者更好。
      3.胜创(Kingmax)

      成立于1989年的胜创科技有限公司是一家名列中国中国中国台湾省前200强的生产企业（Commonwealth Magazine，May 2000），同时也是内存模组的引领生产厂商。除中国中国台湾省内的机构之外，胜创科技在全球四大洲拥有9个办事处，公司在美国、中国、澳大利亚和荷兰拥有超过390名员工。
      作为全球领先的DRAM生产厂商，胜创科技在1997年宣布了第一款基于TinyBGA封装技术的内存模组，这项屡获殊荣的封装技术能以同样的体积大小封装3倍于普通技术所达到的内存容量。同时，胜创科技还研制了为高端服务器和工作站应用设计的1GB StackBGA模组、为DDR应用设计的FBGA模组以及为Rambus RIMM应用设计的速度高达1.6GB/秒的flip-chip BGA/DCA模组。无论何种集成电路应用，都可从选择胜创科技的BGA、Stacked CSP和Flip Chip等封装方案中受益，它完全突破了空间的制约。
      由以上资料可以看到，胜创内存在BGA方面有很大作为。所以它很多内存也是由BGA封装的，具有较高的稳定性，较好的性能。可胜创内存一度有兼容性问题，使很多人不敢买。可是胜创内存也是非常好的，所以大家在选购胜创内存时也别有太多疑虑，在配好后当场装XP看是否正常，正常的话内存应该不会有问题。


4.金邦(Geil)

      金邦(Geil)科技股份有限公司是世界上专业的内存模块制造商之一。全球第一家也是唯一家以汉字注册的内存品牌，并以中文命名的产品“金邦金条”、“千禧条GL2000”迅速进入国内市场，在极短的时间内达到行业销量遥遥领先。第一支“量身订做，终身保固”记忆体模组的内存品牌，首推“量身订做”系列产品，使计算机进入最优化状态。在联合电子设备工程委员会JEDEC尚未通过DDR400标准的情况下，率先推出第一支“DDR400”并成功于美国上市。
      GEIL在1993年成立于香港，1996年将总部设于台北, 在两岸三地均设有生产基地和庞大的销售网络。金邦科技公司一向秉承“科技领先、品牌策略、以人为本”的经营理念, 其开发的产品精雕细琢, 别具一格。1998年, 金邦公司以全球首创的BLP封装技术, 率先在国内市场推出“金条”品牌内存条。其高效的性能、精湛的工艺、独特的外形一推出市场, 即以迅雷不及掩耳之势风靡全国，在计算机DIY市场掀起一浪浪“金条”热。2002年3月，在内存正从SDRAM 迈向双倍速的DDR年代，金邦公司开发的DDR400内存首度在国内与消费者见面，其高速的性能和超频能力震撼业界。

花间游 · 发表于 2007-3-4 11:52:49

内存技术指标字典

（1）CAS(Column Address Strobe) Latency：列地址选通脉冲延迟时间，即DDR－RAM内存接收到一条数据读取指令后要延迟多少个时钟周期才执行该指令。这个参数越小，内存的反应速度越快，可以设置为2.0、2.5、3.0。

（2）Row－active delay（tRAS）：内存行地址选通延迟时间，供选择的数值有1～15，数值越大越慢。

（3）RAS－to－CAS delay（tRCD）：从内存行地址转到列地址的延迟时间。即从DDR－RAM行地址选通脉冲(RAS，Row Address Strobe)信号转到列地址选通脉冲信号之间的延迟周期，也是从1～15可调节，越大越慢。

（4）Row－precharge delay（tRP）：内存行地址选通脉冲信号预充电时间。调节在刷新DDR－RAM之前，行地址选通脉冲信号预充电所需要的时钟周期，从1～7可调，越大越慢。

（5）物理Bank：内存与CPU之间的数据交换通过主板上的北桥芯片进行，内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，简称P-Bank）的位宽。以目前主流的DDR系统为例，CPU与内存之间的接口位宽是64bit，也就意味着CPU在一个周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据，那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条物理Bank。

（6）逻辑Bank ：在芯片的内部，内存的数据是以位（bit）为单位写入一张大的矩阵中，每个单元我们称为CELL，只要指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地定位到某个CELL，这就是内存芯片寻址的基本原理。这个阵列我们就称为内存芯片的BANK，也称之为逻辑BANK（Logical BANK）。由于工艺上的原因，这个阵列不可能做得太大，所以一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制造，也就是说存在内存芯片中存在多个逻辑BANK，随着芯片容量的不断增加，逻辑BANK数量也在不断增加，目前从32MB到1GB的芯片基本都是4个，只有早期的16Mbit和32Mbit的芯片采用的还是2个逻辑BANK的设计。

（7）位宽和带宽：内存的位宽是指内存在一个时钟周期内所能传送数据的位数，以bit为单位，位数越大则瞬间所能传输的数据量越大，这是内存的重要参数之一。内存的带宽是指内存在单位时间内的数据传输速率。

（8）内存频率：是指在默认情况下，内存正常工作时的额定运行频率，以MHz（兆赫兹）为单位。显存频率与显存时钟周期是相关的，二者成倒数关系，也就是显存频率＝1/显存时钟周期。因为DDR－RAM在时钟上升期和下降期都进行数据传输，其一个周期传输两次数据，相当于SDRAM频率的二倍，所以习惯上称呼的DDR频率是其等效频率，在其实际工作频率上乘以2，就得到了等效频率。因此所谓的PC3200内存，是指工作频率为200MHz，等效频率为400MHz的DDR内存，也就是常说的DDR400。

（9）内存封装：是指内存颗粒所采用的封装技术类型，封装就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。显存封装形式主要有TSOP、TSOP-II、MBGA、FBGA等。

（10）SPD（Serial Presence Detect，串行存在检测）：SPD是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦写可编程只读存储器）芯片。它一般位于内存条正面的右侧（如图1），采用SOIC封装形式，容量为256字节（Byte）。SPD芯片内记录了该内存的许多重要信息，诸如内存的芯片及模组厂商、工作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数。SPD信息一般都是在出厂前，由内存模组制造商根据内存芯片的实际性能写入到ROM芯片中。

咖啡音乐伴侣 · 发表于 2007-3-4 19:20:09

谢谢楼主的一系列硬件方面的知识

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